असाधारण पहनने के प्रतिरोधटंगस्टन कार्बाइड ब्लेडहालाँकि, अधिकांश अन्य काटने वाले औज़ारों की तुलना में यह बेहतर है, फिर भी, लंबे समय तक लगातार इस्तेमाल किए जाने पर, यह कई एक साथ होने वाली प्रक्रियाओं के कारण धीरे-धीरे खराब हो जाता है। औद्योगिक अनुप्रयोगों में प्रभावी प्रतिउपाय विकसित करने और ब्लेड के प्रदर्शन को अनुकूलित करने के लिए इन घिसाव प्रक्रियाओं को समझना आवश्यक है।
1. घर्षण घिसाव
घर्षण घिसाव सबसे आम और आर्थिक रूप से महत्वपूर्ण घिसाव तंत्रों में से एक है जो प्रभावित करता हैटंगस्टन कार्बाइड ब्लेडनिरंतर संचालन में। यह प्रक्रिया तब होती है जब वर्कपीस सामग्री में मौजूद कठोर समावेशन या कार्य-कठोर कण यांत्रिक रूप से ब्लेड की सतह के साथ क्रिया करते हैं, जिससे सूक्ष्म-कटिंग और जुताई क्रियाओं के माध्यम से सामग्री धीरे-धीरे हटती है। अत्यधिक कठोरताटंगस्टन कार्बाइड के दानेइस घिसाव तंत्र के प्रति पर्याप्त प्रतिरोध प्रदान करता है, लेकिन अपेक्षाकृत नरम कोबाल्ट बाइंडर चरण घर्षण के प्रति अधिक संवेदनशील होता है, जिससे संभावित रूप से WC कणों का उभार और उनके बाद फ्रैक्चर या खिंचाव हो सकता है। शोध से पता चलता है कि अपघर्षक घिसाव विशेष रूप से तब होता है जब सिलिकॉन-एल्यूमीनियम मिश्रधातुओं, मिश्रित सामग्रियों, या कठोर सतह वाले वर्कपीस जैसे अपघर्षक घटकों वाली सामग्रियों की मशीनिंग की जाती है।
अपघर्षक घिसाव की दर कई कारकों से प्रभावित होती है, जिनमें अपघर्षक कणों का आकार और आकारिकी, कार्यवस्तु और ब्लेड सामग्री दोनों के यांत्रिक गुण, और प्रयुक्त काटने की स्थितियाँ शामिल हैं। औद्योगिक अवलोकन इस बात की पुष्टि करते हैं कि अपघर्षक घिसाव आमतौर पर उपकरण के पार्श्व पृष्ठ पर एक समान घिसाव या चिप-संपर्क सतह पर खांचे बनने के रूप में प्रकट होता है, और घिसाव की दर आमतौर पर काटने की दूरी के साथ सीधे और काटने की कठोरता के साथ व्युत्क्रमानुपाती होती है।
2. विसरित घिसाव
विसरित घिसाव, जिसे विलयन-विसरण घिसाव भी कहा जाता है, उच्च-तापमान मशीनिंग अनुप्रयोगों में विशेष रूप से महत्वपूर्ण हो जाता है जहाँ काटने का तापमान 800°C से अधिक होता है। इन उच्च तापमानों पर, टंगस्टन कार्बाइड ब्लेड और वर्कपीस सामग्री, दोनों के रासायनिक घटक तेज़ी से गतिशील हो जाते हैं, जिससे टूल-वर्कपीस इंटरफ़ेस में पारस्परिक विसरण होता है। यह घटना विशेष रूप से लौह पदार्थों की मशीनिंग करते समय स्पष्ट होती है, जहाँ वर्कपीस से लोहा कार्बाइड ब्लेड में विसरित हो सकता है जबकि ब्लेड से कार्बन, टंगस्टन और कोबाल्ट चिप सामग्री में विसरित हो जाते हैं।
प्रसार प्रक्रिया ब्लेड की सतह परतों की संरचना और गुणों को मौलिक रूप से बदल देती है। जैसे ही कार्बन परमाणु ब्लेड की सतह से पलायन करते हैं, WC क्रिस्टल अस्थिर हो जाते हैं, जिससे समग्र कठोरता और यांत्रिक अखंडता में कमी आती है। साथ ही, कोबाल्ट का प्रसार टंगस्टन कार्बाइड कणों के बीच बंधन को कमजोर करता है, जिससे ब्लेड की संरचनात्मक स्थिरता और भी कम हो जाती है। इस रासायनिक अपघटन के परिणामस्वरूप आमतौर पर उपकरण के रेक फेस पर क्रेटर वियर का निर्माण होता है, जिसमें अधिकतम वियर गहराई उच्चतम तापमान के स्थान पर होती है। अध्ययनों से पता चला है कि टंगस्टन कार्बाइड संरचना में टाइटेनियम कार्बाइड (TiC) को शामिल करने से WC की तुलना में TiC के कम प्रसार गुणांक और उच्च तापमान पर सुरक्षात्मक टाइटेनियम ऑक्साइड परतें बनाने की इसकी क्षमता के कारण विसरित वियर को काफी कम किया जा सकता है।
3. चिपकने वाला पदार्थ और रासायनिक घिसाव
चिपकने वाला घिसाव तब होता है जब उपकरण-वर्कपीस इंटरफ़ेस पर उच्च दबाव और तापमान के संयुक्त प्रभाव में वर्कपीस सामग्री के सूक्ष्म टुकड़े ब्लेड की सतह पर वेल्ड हो जाते हैं। ये चिपकने वाले जंक्शन सापेक्ष गति के दौरान टूट सकते हैं, जिससे ब्लेड की सतह से छोटे कण हट जाते हैं। यह प्रक्रिया विशेष रूप से उन तन्य सामग्रियों की मशीनिंग करते समय प्रचलित होती है जिनमें चिपकने की प्रवृत्ति होती है।काटने के उपकरणजैसे कि एल्युमीनियम मिश्र धातु या कुछ स्टेनलेस स्टील।
इसके साथ ही, ऑक्सीकरण और अन्य ताप-रासायनिक प्रतिक्रियाओं सहित रासायनिक घिसाव प्रक्रियाएं, ब्लेड के क्षरण में महत्वपूर्ण योगदान दे सकती हैं, विशेष रूप से उच्च तापमान वाले वातावरण में।टंगस्टन कार्बाइड600°C से अधिक तापमान पर टंगस्टन ऑक्साइड और कार्बन डाइऑक्साइड बनाने के लिए ऑक्सीकरण हो सकता है, जबकि कोबाल्ट बाइंडर पदार्थ भी ऑक्सीकरण के प्रति समान रूप से संवेदनशील होता है, जिससे ब्लेड के बाइंडर चरण का विघटन हो सकता है और परिणामस्वरूप टंगस्टन कार्बाइड के कण नष्ट हो सकते हैं। वर्कपीस पदार्थों में कुछ रासायनिक तत्वों की उपस्थिति, जैसे कुछ मिश्र धातुओं में क्लोरीन या सल्फर, अस्थिर या कम-शक्ति वाले प्रतिक्रिया उत्पादों के निर्माण के माध्यम से इन रासायनिक घिसाव प्रक्रियाओं को तेज कर सकती है।
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पोस्ट करने का समय: 24-अक्टूबर-2025
